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机电一体化
一种基于自由液面温度测量值和特征函数插值的硅熔体温度场重构方法

专利号

201710439593.5

专利类型

发明专利

申请日

2017-6-12

专利权人

5139 vip威尼斯人

授权日

2020-3-27

法律效力

授权

摘要

 

本发明公开了一种基于自由液面温度测量值和特征函数插值的硅熔体温度场重构方法,利用热传导方程的特征值问题对单晶炉二维轴对称晶体生长过程等径阶段硅熔体模型分析,计算得到特征值和对应的特征函数,利用阈值标量函数计算出各个特征函数对待还原区域的作用大小,并设定一个标量值作为选取特征函数的衡量标准,通过基于多种群遗传算法优化温度传感器测点的布设位置,最后利用这组优化位置组合的温度测量值与选取的特征函数计算得到反映硅熔体区域特性的权重因子,再与硅熔体内各点的特征函数做内积运算得到硅熔体的温度分布。该方法减小了复杂结构对布置温度传感器的影响,不受限于热传导物理问题,扩展性好。